Еволюція охорони.Інтегральні мікросхеми є одним з найважливіших об'єктів інтелектуальної власності, Оскільки вони мають широке поширення у всіх сучасних пристроях як побутового, і промислового призначення.

Технічна еволюція інтегральних мікросхем пройшла кілька етапів. Прообразом були радіоприймальні пристрої, створення яких використовувалися принципові і монтажні схеми. Перші являли собою графічні зображення електричних з'єднань всіх елементів електронних пристроїв зі специфікаціями, а другі - просторове розташування вищевказаних елементів, т. е. радіоламп, опорів, конденсаторів, індуктивностей тощо.

З появою напівпровідникових транзисторів усі деталі електронних пристроїв стали монтувати на друкованих платах, що дозволило зменшити розміри та енергоспоживання пристроїв. Наступна мініатюризація електронних пристроїв призвела до створення мікросхем, у яких всі елементи створювалися однією напівпровідниковому кристалі. Перша мікросхема була розроблена Д. Кілбіу 1958 р. та вироблена у 1961 р. фірмами Fairchild Semiconductor Corp.і Texas Instruments.

З часом мікросхеми вдосконалювалися, підвищувався рівень їх інтеграції та надійність. Нині мікросхеми можуть містити мільйони елементів. Одним із найважливіших видівінтегральних мікросхем загального призначеннястали мікропроцесори, створені фірмами Intel в 1971 р. та Motorola,що стало основою найширшої комп'ютеризації всіх сфер діяльності.

Зазвичай інтегральні мікросхеми визначаються в такий спосіб.

Інтегральна мікросхема- це виріб, в якому активні (транзистори і діоди), пасивні (опір, конденсатори та індуктивності) і компоненти електронної схеми, що їх з'єднують, втілені в обсязі складеного напівпровідникового носія.

В даний час виробництво інтегральних мікросхем є однією з найважливіших галузей промислового виробництва, Що забезпечує вдосконалення та створення нової продукції та нових виробництв.

Як і щодо інших науково-технічних досягнень, виробники мікросхем із самого початку зіштовхнулися з проблемою копіювання своїх досягнень конкурентами. Однак особливості мікроелектроніки такі, що копіювання ніколи не було простим. Іноді витрати на аналіз і повторення виявляються вищими, ніж витрати на власні дослідження, розробки та виробництво.

Виняткова складність сучасних інтегральних мікросхем Забезпечує їх технічний захиствід копіювання. Проте західні фірми, які розуміють необхідність патентування захисту своїх науково-технічних досягнень на внутрішньому і міжнародному ринку, домагалися правової охорони своїх мікросхем. Перші форми охорони топологій (просторових розташування елементів) інтегральних мікросхем здійснювалися авторським правом за аналогією зі схемами, картами, кресленнями. Згодом топології інтегральних мікросхем стали охоронятися спеціалізованими законами, які за принципами виникнення права належали до законодавства про промислової власності.

У 1984 р. був прийнятий Закон США про охорону напівпровідникових схем, у 1985 р. подібний закон з'явився в Японії. У Європейському союзі 1986 р. прийнято Директиву «Про правової охоронитопологій напівпровідни-вих продуктів».

У країнах із перехідною економікою перший закон про правову охорону топологій інтегральних мікросхем був прийнятий у 1992 р. Російської Федерації 2 коли багато розвинених країн вже забезпечили охорону топологій інтегральних мікросхем.

На міжнародному рівні першу спробу охорони топологій інтегральних мікросхем зроблено в Договорі про інтелектуальну власність щодо інтегральних мікросхем 3 ,прийнятому на Дипломатичній конференції ВОІВ у Вашингтоні в 1989 р. Цей Договір не набув чинності, оскільки основні виробники мікросхем, насамперед США та Японія, вважали низку його положень про примусове ліцензування такими, що не відповідають їхнім інтересам. У ст. 4 Договору міститься важлива норма, відповідно до якої «кожна Договірна Сторона вільна виконувати свої зобов'язання за цим Договором спеціальним законом про топології або своїм законом про авторське право, патенти, корисних моделях, промислових зразках, недобросовісної конкуренції чи будь-яким іншим законом чи поєднанням будь-яких цих законів» 4 . Іншими словами, топології інтегральних мікросхем можуть охоронятись різними законами про охорону інтелектуальної власності.

Основні положення Договору про інтелектуальну власність щодо інтегральних мікросхем, крім ст. 6(3), після-

Council Directive of December 16, 1986, на Legal Protection of Topographies of Semiconductor Products (87/54/EEC) // Official Journal of the European Communities. No L 24 of January 27. 1987. P. 36.

2 Див: Інтелектуальна власність. М., 1992. № 3-4. З. 11-15.

3 Див: Договір про інтелектуальну власність щодо інтегральних
схем. Вашингтон: ВОІВ. IP1C/DC/46. 26.05.1989.

208 Розділ 5. Патентне право

§ 5.19. Охорона топологій інтегральних мікросхем 209

ності були включені в Угоду ТРІПС, яка визнала топології інтегральних мікросхем об'єктом інтелектуальної власності.

Об'єкт охорони.Інтегральні мікросхеми є одним з найважливіших об'єктів інтелектуальної власності, оскільки вони надзвичайно широко використовуються практично у будь-яких сучасних товарах, від товарів побутового призначеннядо автоматизованих систем, ділянок, пристроїв автоматизованого виробництва. Всі сучасні транспортні засоби як цивільного, так і військового призначення немислимі без широкого використання інтегральних мікросхем.

Перші визначення інтегральних мікросхем та їх топологій були надані у Директиві Європейського Союзу та у Договорі про інтелектуальну власність щодо інтегральних мікросхем. Подібні визначення використовуються в законодавстві деяких країн з перехідною економікою, проте вони містять неточності, пов'язані з недостатнім розумінням технічної істоти об'єкта охорони. Не претендуючи повноту, можна запропонувати таке визначення.

Топологія інтегральної мікросхеми – це просторове розташування всіх компонентів інтегральної мікросхеми, втіленої у напівпровідниковому носії.

Об'єктом охорони є топології інтегральних мікросхем, що реалізуються у тих чи інших виробах. Незважаючи на те, що охорона надається топологіям інтегральних мікросхем, знання топології недостатньо для відтворення виробу, в якому вона використовується. Необхідно знати характеристики всіх активних та пасивних елементів мікросхеми. Проте встановити детальні характеристики та властивості мільйонів активних та пасивних елементів украй складно. Для надвеликих інтегральних мікросхем зворотний інжиніринг виявляється надзвичайно складним та дорогим. Сучасні інтегральні мікросхеми надійно захищені технічно,та їх додаткова правова охорона не завжди потрібна.

Суб'єкти охорони.Топології інтегральних мікросхем визнаються результатом творчої праці розробників. Мікросхеми не можуть бути створені однією особою за рахунок власних коштів. Отже, топологія інтегральних мікросхем - це завжди службові об'єкти.

Первинними суб'єктами права може бути три категорії лиц:

Правонаступники вищевказаних осіб.

Щодо суб'єктів прав на топології інтегральних мікросхем можуть діяти mutatis mutandis(з відповідними змінами) положення, які докладно розглянуті в § 5.6.

Умови правоздатності.Право на топологію інтегральної мікросхеми засвідчується свідоцтвом про офіційну реєстрацію топології інтегральної мікросхеми, для отримання якого заявник Лол жен подати до патентного відомства такі документи:

Заява про видачу свідоцтва;

Реферат

У Російській Федерації вимоги до документів, що депонуються, встановлені в Правилах складання, подання та розгляду заявок на офіційну реєстрацію топологій інтегральних мікросхем, відповідно до яких депоновані матеріали повинні містити:

1) повний комплект одного з наступних видів візуально сприй-
| матеріалів, що відображають кожен шар реєстрованої тополо
ії:

Пошарові технологічні креслення;

Складальний топологічний креслення, включаючи специфікацію;

Фотографії або копії з фотошаблонів (на паперовому носії); фотографії на папері кожного шару топології, зафіксованої

в інтегральній мікросхемі;

2) чотири зразки інтегральної мікросхеми, що включають регістри
топологію в тому вигляді, в якому вона була використана з метою
отримання прибутку.

По суті, ці вимоги спрямовані на виявлення виробничих секретів та ноу-хау заявника, оскільки майже все перераховане є найсуворішим секретом (top-secret)розробників та розголошення їх у будь-якому вигляді позбавляє розробників конкурентних переваг та підриває подальші розробки та виробництво мікросхем. Таким чином, основна частина матеріалів, що депонуються, відноситься до закритої інформації розробника, який ніколи не передасть достовірну інформаціюпатентному відомству, оскільки інформація стане надбанням третіх осіб, хоча у ст. 4(2) Директиви Європейського Союзу встановлено, що країни повинні забезпечити нерозголошення секретів, що містяться в матеріалах, що депонуються.

Розуміючи, що матеріали, що депонуються, відносяться до секретів заявника, розробники Правил зробили застереження: «Якщо будь-який шар топології містить відомості конфіденційного характеру (наприклад, що стосуються ноу-хау), у візуально сприйманих матеріалах відповідна частина цього шару (або повністю шар) бути вилучено і включено до складу депонованих матеріалів, що ідентифікує топологію в закодованій формі».

Зроблене застереження не менш абсурдне.

Інтелектуальна власність. М., 1993. № 3-4. С. 230.

210 «Глава 5.Патентне право

§ 5.19. Охорона топологій інтегральних мікросхем 211

По-перше, інформація про кожен шар топології є секретною.

По-друге, складно отримати цифрове зображення шарів мікросхеми та закодувати це зображення.

По-третє, будь-яка закодована інформація може декодуватися заінтересованими особами.

Іншими словами, вимоги до матеріалів, що депонуються, не можна визнати обґрунтованими.Патентне відомство не має права вимагати секретної інформації заявника, а заявник не повинен і не подаватиме її.

Вимога до зразків мікросхем, що подаються на депонування, безглуздо, оскільки заявнику запропоновано заявляти таку мікросхему, щоб треті особи могли отримати з неї візуально сприймане зображення кожного шару топології! Вимога не тільки абсурдна, а й нездійсненна для сучасних інтегральних мікросхем. Чому розробник повинен створювати мікросхеми, які можуть легко копіювати треті особи? Мабуть, розробники пам'ятали про марність зусиль інститутів та підприємств Міністерства середнього машинобудування СРСР у пошаровому скануванні зарубіжних мікропроцесорів та налагодженні виробництва «кривих» копій цих мікросхем.

Мабуть, існували наївні сподівання, що закордонні виробники реєструватимуть свої інтегральні мікросхеми з усіма своїми виробничими секретами та зразками. Звичайно, цього не сталося. У результаті Росії зареєстровано трохи більше 200 топологій. Більше того, ніхто не дасть гарантій, що видані свідоцтва підтверджені депонованими матеріалами, які дійсно стосуються заявлених топологій. Адже жодна експертиза, по суті, не ведеться, принаймні у патентному відомстві.

Аналіз вимог до депонованих матеріалів, що ідентифікують інтегральну мікросхему, показує, що патентні відомства створили недійсну систему реєстрації та охорони топологійРозробники, поставивши перед собою цілі, які не мають жодного стосунку до охорони топологій, не змогли чи не захотіли зрозуміти, що вимоги до документів, що депонуються, повинні бути дуже простими і не торкатися секретів заявників.

Патентне відомство могло вимагати будь-які документи від заявника, які, на його думку,ідентифікують його топологію. Для цього цілком достатньо надавати лише вибіркову інформацію потопології, наприклад зображення будь-якої частини будь-якого шару інтегральної схеми, тобто свого роду «Великодне яйце», на підставі якого ніхто не зміг би створити нову мікросхему, але заявнику таких депонованих матеріалів могло виявитися достатнім, щоб переконливо відкинути претензії третіх осіб на його. топологію.

Саме такий підхід використаний у Правилах складання, подання та розгляду заявок на офіційну реєстрацію програм для електро-

вінних обчислювальних машинта баз даних, у яких встановлено, то «з метою ідентифікації депонованої програми для ЕОМ слід представляти матеріали обсягом 25 перших та 25 останніх сторінок лістингу (друкованої копії) вихідного тексту» 1 . Аналогічно можна було б встановити вимоги до матеріалів, що депонуються, що ідентифікують топологію. Безперечно, заявник може і в такому разі подати будь-яку інформацію та отримати охоронне свідоцтво. Прикладом може бути отримання в Російському патентному відомстві свідоцтва № 2006613993 від 21 вересня 2006 про офіційну реєстрацію комп'ютерної програми Windows Vista особою, яка не має жодного відношення до дійсного розробника і творця даної операційної системи.

Законодавство про охорону топологій інтегральних мікросхем визнає два умови охороноздатності:

Творчий характер топології;

Оригінальність топології.

Незважаючи на те, що обидві умови взаємопов'язані, між ними є відмінності. Творчий характер праці авторів топології визнається, оскільки авторами топології вважаються фізичні особи, внаслідок i ворчеської діяльності яких створено топологію. Зі змістовної точки зору неможливо заперечувати творчий характер авторів топології. Справа втому, що електричні зв'язку компонентів мікросхеми визначаються відповідними важливими схемами, розташування цих компонентів і зв'язку з-поміж них реалізуються завдяки творчої діяльності авторів топології.

Можна нагадати про презумпцію творчого характеру укладачів деяких творів, розглянуту в § 2.12, оскільки будь-яке розташуванняматеріалів збірника може вважатися творчим через неможливість довести протилежне. Аналогічне справедливо й у топологій: будь-яке просторове розташування елементів інтегральної схеми має визнаватися творчим. Якщо слідувати аналогії з творчим характером об'єктів авторського права, то творчість поширюється майже будь-яку креслярську документацію, яка близька до топологіям інтегральних мікросхем. Нарешті, якщо визнаються результатом великої творчості чотири перпендикулярні лінії Малевича, то немає жодних об'єктивних причин відмовляти у творчості розробникам топологій, що містять мільйони елементів та ліній електричного характеру, що їх з'єднують.

Другою умовою охороноздатності визнається оригінальність топологіїВст. 1448(2) Цивільного кодексу Російської Федерації встановлено, що «топологія інтегральної мікросхеми визнається оригінальною, а то й доведено зворотне».

Інтелектуальна власність. С. 39.

212 Глава 5. Патентне право

§ 5.19. Охорона топологій інтегральних мікросхем 213

У Договорі про інтелектуальну власність щодо інтегральних схем визначення оригінальності більш змістовне". У коментарях до проекту договору наголошувалося, що «дві умови мають бути виконані для задоволення вимог оригінальності, а саме: щоб топології були результатом власного інтелектуального зусилля їхніх творців і щоб вони не були загальновідомими серед творців топологій і виробників мікрочіпів під час їх створення» 2. Ці умови містяться і в Директиві Європейського Союзу і підтверджені з деякою національною специфікою в законодавстві країн з перехідною економікою. новизною «серед авторів топологій».

Отже, для інтегральних мікросхем умови охороноздатності топологій виконані, якщо топологія є результатом творчої праці і є новою, невідомою іншим розробникам та виробникам інтегральних мікросхем.Друга умова охороноздатності є важливою для третіх осіб, які мають намір оскаржити надані права на зареєстровану топологію мікросхеми.

Оскільки друга умова охорони здатності патентне відомство не може перевірити через відсутність інформації про інші топології в світі, воно змушене використовувати явочну системувидачі охоронних документів на топології інтегральних мікросхем. Тому абсурдні вимоги до документів, що депонуються, про які йшлося вище, взагалі зайві, оскільки патентне відомство не може здійснити експертизу по суті. Якщо ж треті особи висловлять заперечення щодо виданих свідоцтв на будь-яку топологію, то власник свідоцтва повинен сам доводити правомірність отриманого свідоцтва, яке видається під відповідальність заявника.

Таким чином, патентне відомство проводить лише формальну експертизу заявки на отримання охоронного документа. Якщо в результаті експертизи буде встановлено, що документи, що входять до заявки, оформлені правильно, приймається рішення про видачу свідоцтва на топологію. Таке свідоцтво видається патентним відомством після внесення відомостей про топологію до Реєстру топологій інтегральних мікросхем. Свідоцтво на топологію засвідчує авторство, пріоритет топології та право на її використання.

Патентне відомство стягує мита скоєння «юридично значимих дій». На відміну від патенту, дія якого підтримується тільки за обов'язкової сплати регулярних мит, мита за підтримання чинності свідоцтва про топологію не сплачуються. Іншими

1 Див: Договір про охорону інтелектуальної власності щодо інтегральності
них схем. Вашингтон: ВОІВ. 1PIC/DC/46. 26.05.1989. З. 4.

2 Проект Договору про охорону інтелектуальної власності щодо інтег
ральних схем. Вашингтон: ВОІВ. IPIC/DC/3. 31.01.1989. С. 20.

словами, свідоцтво на топологію не потребує підтримки у силіІ воно діє до закінчення терміну охорони, що надається, без оплати мит.

Надані права.Обсяг правової охорони топології визначається сукупністю її елементів та зв'язків між ними, представлених; У депонованих матеріалах. Така форма надання охорони є формальною, оскільки патентне відомство не проводить експертизу по суті і не може знати ні сукупності елементів топології, ні (відповідних зв'язків. Тому насправді топології інтегральних мікросхем охороняються як такі).

На відміну від інших об'єктів патентного права законодавство про правову охорону топологій допускає сповіщення про права автора топології чи його правонаступника.Такі оповіщення або повідомлення можуть бути зроблені на інтегральних мікросхемах з топологією, що охороняється. Законодавство країн із перехідною економікою допускає різні види оповіщень.

Наприклад, в Російській Федерації повідомлення є великою літерою «Т» у лапках, у квадратних дужках, в колі, у квадраті або із зірочкою, доповнену датою початку дії виключного права та інформацією, що дозволяє ідентифікувати правовласника. Вид таких оповіщень вперше запроваджено у ст. 9 Директиви Європейського Союзу "Про правову охорону топологій напівпровідникових продуктів".

При аналізі прав на топології інтегральних мікросхем можна використовувати mutatis mutandis(з відповідними змінами) положення про правову охорону винаходів, детально розглянуті у § 5.11. Ці положення ставляться як до особистого немайнового права (Праву авторства),так і до виняткового права використання топології.Крім того, визнається право на авторське винагороду.

З позиції принципу дуалізму інтелектуальної власності законодавство має встановлювати норми про виняткове право виробництва товарів, у яких втілені топології інтегральних мікросхем.

Виключне право включає право на відтворення(виробництво товару) та право на поширення(продаж та інше введення у цивільний обіг товарів). Право на поширення інтегральних мікросхем підлягає вичерпанню, тобто воно перестає діяти після першого продажу чи іншої передачі права власності на цю інтегральну мікросхему.Право на вичерпання мається на увазі у ст. 6(5) Договору про інтелектуальну власність щодо інтегральних схем та у ст. 6 Угоди ТРИ ПС. У неточній формі вичерпання права поширення встановлено у ст. 1456 (3) Цивільного кодексу Російської Федерації.

214 Глава 5. Патентне право

§ 5.19. Охорона топологій інтегральних мікросхем 215

Охорона авторським правом.Як уже зазначалося, далеко не всі положення законодавства про правову охорону топологій інтегральних мікросхем бездоганні не лише з правової, а й з технічної та навіть лінгвістичної точки зору.

Законодавство містить формулювання, що дозволяють вважати, що топології інтегральних мікросхем можуть охоронятися не лише законодавством про промислової власності, а й авторським правом. А. П. Сергєєв обґрунтовано вважає, що «реєстрація топологій не є обов'язковою умовоюїх правової охорони».

Справді, відповідно до ст. 1452 (1) Цивільного кодексу Російської Федерації правовласникможе за своїм бажаннямзареєструвати топологію протягом терміну дії виключного права на топологію. Іншими словами, ще до подання заяви на реєстрацію топології автор або інша особа вже мають права на топологію. Таке право могло вони виникнути лише з самого факту створення топології, що притаманно виникнення охорони авторським правом. На спільність топологій інтегральних мікросхем з об'єктами авторського права вказує і перелік об'єктів, що не охороняються, який наводиться як у законодавстві про авторське право, так і в законі про охорону топологій. В обох випадках охорона не поширюється на ідеї, способи, системи та інше.

Таким чином, топології інтегральних мікросхем можна вважати об'єктами авторського правничий та охоронятися відповідним законодавством.Положення не дивне, оскільки за всіма ознаками топології дуже близькі до картографічних об'єктів (див. § 2.5). Крім того, сам термін «топологія», що використовується в Цивільному кодексі Російської Федерації, як і в законодавстві країн з перехідною економікою, є неточним перекладом терміну «topography»,який використовується в Директиві Європейського Союзу, Договорі про інтелектуальну власність щодо інтегральних мікросхем та Угоди ТРІ ПС. Отже, правильним було б використання не терміна «топологія»,а терміна «топографія»,який має саме пряме відношення до топографічним картам, що є визнаними об'єктами авторського права Термін «топологія» став усталеним особливому розділі математики, який вивчає топологічні, т. е. постійні, властивості постатей за її будь-яких нерозривних деформаціях.

Щодо подвійної охорони топологій інтегральних мікросхем існують самі проблеми, як й у промислових зразків, розглянуті у § 5.18. Проте через службовий характер топологій негативні наслідкиподвійний охорони менш важливі.

Сергєєв А. П.Указ. тв. С. 693.

Обмеження охорони.Подібно до інших об'єктів інтелектуальної власності, охорона топологій інтегральних мікросхем не є абсолютною, оскільки на охорону накладаються цілком певні обмеження.

У законодавстві країн із перехідною економікою не визнаються порушенням виняткових прав на топологію, що охороняється, наступні дії третіх осіб:

Використання топології з метою оцінки, аналізу, дослідження

або навчання;

використання топології в особистих цілях без отримання прибутку;

використання незалежно створеної ідентичної топології; використання законно придбаних товарів з інтегральними

кросхемами, якщо покупець не знав і не повинен був знати про контрактні ці схеми;

Застосування інтегральних мікросхем, в яких втілені охоронні топології, якщо вони законно введені в цивільний обіг. Першим із названих використань є туманна форма ре-інірингуабо зворотного технічного аналізу,який обговорювався ра-

Друге використання - надумане та безглузде. Важко собі

зробити використання топології в особистих цілях, наприклад вдома,

гаражі, на дачі. Саме топології, а не самих інтегральних мікросхем.

Третє використання ідентичне праву користування,яке розглядалося інших об'єктів патентного права.

Останній випадок стосується вичерпання права на поширення

обох товарів.

Термін охорони.У ст. 1457 Цивільного кодексу Російської Федерації ок охорони топологій інтегральних мікросхем становить 10 років, проте оголошення ТРІ ПС допускає охорону топологій протягом 15 років з мо-

;Нту створення топології.

Початок терміну дії виключного права на використання логії визначається за більш ранньою з наступних дат:

Перше використання топології, документально підтвердженої

Реєстрація топології в патентному органі.
У разі появи ідентичної оригінальної топології незалежно

Після закінчення терміну дії виключного права топологія перетворюється на суспільне надбання. Необхідно підкреслити, що мікросхеми морально і технічно застарівають і знімаються з виробництва набагато раніше закінчення терміну охорони їхньої топології, зазвичай за три - п'ять років. Іншими словами, встановлений термінохорони топологій інте-фальних мікросхем є завищеним. Після морального старіння

Розділ 5. Патентнеправо

топології не становлять інтересу навіть для країн, технологічний рівень розвитку яких дозволяє копіювати застарілі та зняті з виробництва мікросхеми.

Ситуація з терміном охорони топологій мікросхем нагадує тривалість охорони комп'ютерних програм авторським правом, koi та програми морально старіють за три - п'ять років і виявляються нікому не потрібними, а авторське право на такі вже марні об'єкти продовжує існувати. Якщо для інших творів літератури, науки і мистецтва інтерес до будь-якого об'єкта може виникнути у будь-який момент охорони, то для комп'ютерних програм не виникає ніколи: старі комп'ютерні програми виявляються абсолютно непотрібними, як і старі топології інтегральних мікросхем.

Правова охорона топологій інтегральних мікросхем (далі – ІМС) виникла лише наприкінці ХХ століття. Першою країною, що прийняла 1984 р. Закон про охорону напівпровідникової інтегральної мікросхеми стали США. Слідом за ними у 1985 р. аналогічний закон був прийнятий у Японії.

Це з тим, що ці країни з'явилися піонерами розвитку сучасної мікроелектроніки, найважливішим об'єктом якої є ИМС. Проте виявилося, що методами патентного та авторського права можуть охоронятися не всі результати творчої діяльності у сфері мікроелектроніки, що викликало необхідність прийняття спеціальних законів про охорону топологій ІМС.

У Росії такий правовий акт– Закон «Про правову охорону топологій інтегральних мікросхем» було прийнято 1992 року. З 1 січня 2008 року ці відносини регулює ч. IV Цивільного кодексу РФ.

Відповідно до ст. 1448 ЦК топологією інтегральної мікросхеми є зафіксоване на матеріальному носії просторово-геометричне розташування сукупності елементів інтегральної мікросхеми та зв'язків між ними. При цьому інтегральною мікросхемою є мікроелектронний виріб остаточної або проміжної форми, призначений для виконання функцій електронної схеми, елементи та зв'язку якого неподільно сформовані в обсязі та (або) на поверхні матеріалу, на основі якого виготовлено виріб.

Види матеріальних носіїв можуть бути різними: папір (для креслень), прозора полімерна плівка (для фотошаблонів), магнітний або оптичний диск з закодованою на ньому інформацією про топологію (застосовувані в технології для використання фотошаблонів), нарешті, сам кристал (з напівпровідникового або іншого матеріалу) інтегральної мікросхеми зі сформованою у ньому топологією.

Термін «просторово-геометричне» говорить про тривимірне розташування елементів та взаємозв'язків, що формуються на кристал шляхом послідовного нанесення шарів.

Правова охорона поширюється лише на оригінальну топологію, створену внаслідок творчої діяльності автора і яка є невідомою автору та (або) спеціалістам у галузі розробки топологій на дату її створення. Топологія визнається оригінальною доти, доки не доведено протилежне.

Топологія, що складається з елементів, які відомі фахівцям у галузі розробки топологій на дату створення цієї топології, надається правова охорона лише в тому випадку, якщо сукупність таких елементів задовольняє вимогу оригінальності.

Четвертою частиною Цивільного кодексу РФ особливо встановлюється, що правова охорона, що надається цим Кодексом, не поширюється на ідеї, методи, системи, розробку або закодовану інформацію, які можуть бути втілені в топологію. Ці результати творчої діяльності можуть охоронятися за нормами авторського та патентного права.

Охорона топологій ІМС як і об'єктів авторського права виникає з їх створення, надання топології об'єктивної форми, наприклад, зразок чіпа, компакт-диск. Як і для програм для ЕОМ охорона виникає незалежно від дотримання будь-яких формальностей, проте правовласник протягом терміну дії виключного права на топологію може за бажанням зареєструвати її в федеральному органі виконавчої владиз інтелектуальної власності. Однак, якщо топологія містить відомості, що становлять державну таємницю, вона не підлягає реєстрації.

Порядок державної реєстраціїтопології встановлено ст. 1452 Цивільного кодексу РФ. Для здійснення реєстрації правовласник повинен подати заявку на видачу свідоцтва про державну реєстрацію топології в строк, що не перевищує двох років з дня першого використання топології.

Заявка на реєстрацію повинна стосуватися однієї топології та містити:

Заява про державну реєстрацію топології із зазначенням особи, на ім'я якої вимагається реєстрація, а також автора, якщо він не відмовився бути згаданим як таке, місце проживання або місцезнаходження кожного з них, дати першого використання топології, якщо вона мала місце;

Депоновані матеріали, що ідентифікують топологію, включаючи реферат;

Документ, що підтверджує сплату мита в встановленому розмірі, або підстави звільнення від сплати мита, або зменшення його розміру, або відстрочення її сплати;

Правила оформлення заявки на реєстрацію визначає федеральний орган виконавчої влади нормативно-правове регулюванняу сфері інтелектуальної власності.

В даний час це Правила складання, подання та розгляду заявки на офіційну реєстрацію топології інтегральної мікросхеми від 25 лютого 2003 року.

Під час розгляду заявки на державну реєстрацію топології ІМСздійснюється лише перевірка наявності необхідних документівта їх відповідність встановленим вимогам. Перевірка істоти рішення, наприклад оригінальності топології, не проводиться.

При позитивному результаті перевірки топологія вноситься до Реєстру топологій ІМС, заявнику видається свідоцтво про реєстрацію топології, публікуються відомості про зареєстровану топологію в офіційному бюлетені.

Особі (особам), внаслідок творчої праці якої (яких) створено топологію ІМС, належать такі інтелектуальні права:

1) виключне право;

У випадках, передбачених ЦК, автору належать також інші права, зокрема право на винагороду використання службової топології. Якщо виключне право на топологію, створену працівником у зв'язку з виконанням своїх трудових обов'язків або конкретного завдання, належить роботодавцю, працівник має право на отримання від роботодавця винагороди, розмір якої, умови та порядок виплати визначаються договором між зазначеними суб'єктами, а разі суперечки – судом. Таким же правом на винагороду має автор топології, створеної при виконанні робіт за договором підряду або договором на НДДКР, замовлення або при виконанні робіт за державним або муніципальним контрактом.

Виняткове декларація про топологію, як та інші об'єкти інтелектуальних прав, Надає правовласнику можливість використання топології будь-яким, що не суперечить закону способом. Частина 4 ЦК визнає використанням топології дії, спрямовані на отримання прибутку, зокрема:

1) відтворення топології в цілому або частково шляхом включення в інтегральну мікросхему або іншим чином, за винятком відтворення тієї частини топології, яка не є оригінальною;

2) ввезення на територію Російської Федерації, продаж та інше введення в цивільний обіг топології, або інтегральної мікросхеми, до якої включена ця топологія, або вироби, що включають ІМС.

Далі правовласник може розпоряджатися винятковим правом на топологію. Розпорядження може здійснюватися шляхом укладання договорів про відчуження виняткового права на топологію або ліцензійних договорівщодо надання права використання топології ІМС.

У силу специфіки топологій ІМС, що дозволяє створити ідентичні об'єкти внаслідок так званої паралельної творчості ст. 1454 ЦК встановлює, що за особою, яка незалежно створила топологію, ідентичну іншій топології, визнається самостійне виключне право на цю (самостійно створену) топологію.

Тому використання таких топологій здійснюється їх правовласниками вільно і може розглядатися як правопорушення.

Цивільний кодекс встановлює також перелік дій, які є порушенням виняткового права на топологію.

До таких належать:

1) здійснення дій з відтворення топології або її ввезення, продажу, іншого введення в цивільний оборот з метою отримання прибутку, щодо ІМС, в яку включена незаконно відтворена топологія, що охороняється, а також будь-якого включає в себе таку інтегральну мікросхему виробу у випадках, якщо особа , що чинить такі дії, не знало і не мало знати, що до неї включена незаконно відтворена топологія. Після отримання повідомлення про незаконне відтворення топології, що охороняється, зазначена особа може використовувати готівковий запас виробів, що включає в себе ІМС, в яку включена незаконно відтворена топологія, а також вироби, замовлені до цього моменту. При цьому зазначена особа зобов'язана виплатити правовласнику компенсацію за використання топології, пропорційну тій винагороді, яка могла б бути виплачена за порівнянних обставин за аналогічну топологію;

2) використання топології, що охороняється, в особистих цілях, що не переслідують отримання прибутку, а також з метою оцінки, аналізу, дослідження або навчання;

3) поширення інтегральних мікросхем з топологією, що охороняється, раніше введених в цивільний оборот особою, що володіє виключним правом на топологію, або іншою особою з дозволу правовласника.

Незалежно від реєстрації топології ІМС правовласник для сповіщення про своє виключне право на топологію інтегральної мікросхеми вправі використовувати знак охорони, який міститься на топології, що охороняється, а також на виробах, що містять таку топологію, і складається з наступних елементів:

Виділеної великої літери Т («Т», [Т], (Т), Т * або Т);

Дати початку терміну дії виключного права на топологію, що охороняється;

Інформація, що дозволяє ідентифікувати правовласника.

Приміщення такого знака не обов'язкове і залежить від розсуду автора або іншого власника виняткового права на топологію ІМС.

Виключне право на топологію, що охороняється, діє протягом 10 років. Термін дії виключного права на топологію обчислюється або з дня першого використання топології, під яким мається на увазі найбільш рання документально зафіксована дата введення громадянські оборотцієї топології в Росії або за кордоном, інтегральної мікросхеми з цією топологією або включає в себе таку інтегральну мікросхему виробу, або з для реєстрації топології у федеральному органі виконавчої влади з інтелектуальної власності, залежно від того, яке із зазначених подій настало першим. У разі появи ідентичної оригінальної топології незалежно створеної іншим автором, виняткові права на обидві топології припиняються через 10 років після виникнення виняткового права на першу з них.

Після закінчення терміну дії виключного права топологія, що охороняється, переходить у громадське надбання, тобто може вільно використовуватися будь-якою особою без чийоїсь згоди або дозволу і без виплати винагороди за використання.

У разі порушення виключного права на топологію ІМС або інших прав автора можуть використовуватись заходи захисту, передбачені Цивільним кодексомРФ, встановлені захисту та інших інтелектуальних прав ст. ст. 12; 1250-1252. Захист прав здійснюється судом. Кримінальної або адміністративної відповідальностіпорушення прав на топології ІМС нині не передбачено.

Потім пластину перевертають, шліфують і полірують з боку монокристалічного кремнію майже до плівки SiO2. Шар монокристалічного кремнію, що залишився перед плівкоюSiO2, знімають у поліруючому травнику. В результаті виходить підкладка із ізольованими областями (кишенями) монокристалічного кремнію. У кожному з кишень звичайними прийомами планарної технології формують необхідні структури активних та пасивних елементів ІМС. Таким чином, ізоляція елементів ІМС здійснюється тонкою плівкою SiO2. Шар полікристалічного кремнію, в якому втоплені області монокристалічного кремнію, відіграє роль несучої підкладки.

Ізоляція елементів ІМС повітряними інтервалами.

Принципова відмінність ізоляції повітряними проміжками від ізоляції тонкою плівкою діелектрика полягає у наявності непровідної підкладки. Цією відмінністю зумовлені якісно нові характеристики ІМС.

До методів ізоляції елементів ІМС повітряними проміжками відносяться: декаль-метод, метод балкових висновків, метод «кремній на сапфірі» (КНС) та ін.

Комбінований спосіб ізоляції.

Прагнення використання переваг, якими володіють методи ізоляції за допомогою назад зміщеногоp -n - переходу і діелектричної ізоляції в єдиній структурі, призвело до створення комбінованого способу ізоляції. При комбінованому способі ізоляція елементів з боків здійснюється діелектриком, а з боку дна – назад зміщеним p -n -переходом. Способи комбінованої ізоляції (ізопланар, епіпланар, поліпланар та ін) найбільш перспективні для отримання високої щільності розміщення елементів і поліпшення електричних параметрів ІМС.

5.8 Розробка топології напівпровідникових ІМС

Основою для розробки топології напівпровідникової ІМС є електрична схема, вимоги до електричних параметрів і параметрів активних і пасивних елементів.

тов, конструктивно-технологічні вимоги та обмеження. Розробка креслення топології включає такі етапи:

вибір конструкції та розрахунок активних та пасивних елементів ІМС; розміщення елементів на поверхні та в обсязі підкладки та створення малюнка розведення (комутації) між елементами; розробку попереднього варіанта топології; оцінку якості топології та її оптимізацію; розробку остаточного варіанта топології. Метою роботи конструктора при розробці топології є мінімізація площі кристала ІМС, мінімізація сумарної довжини розведення та числа перетинів у ній.

Конструктивно-технологічні обмеження розробки топології ІМС на біполярних транзисторах. Найважливіше

шою технологічною характеристикою, що визначає горизон-

може бути впевнено сформований при заданому рівні технології, наприклад, мінімальна ширина вікна в оксиді кремнію, мінімальна ширина провідника, мінімальний проміжок між провідниками, мінімальна відстань між краями емітерної та базової областей і т.д. Нехай мінімальний розмір, який може забезпечити технологія, дорівнює d . Тоді зазор між областю, займаної транзистором, та іншими елементами ІМС більший за мінімальний розмір d на величину бічної дифузії під оксид, яка при роздільній дифузії приблизно дорівнює товщині епітаксійного шару d е .

Правила проектування топології напівпровідникової ІМС . Розробка топології ІМС – творчий процес, та її результати істотно залежить від індивідуальних здібностей розробника, його навичок і знань. Сутність роботи з

створенню топології ІМС зводиться до знаходження такого оптимального варіанта взаємного розташування елементів схеми, при якому забезпечуються високі показники ефективності виробництва та якості ІМС: низький рівень бракованих виробів, низька вартість, матеріаломісткість, висока надійність, відповідність отримуваних електричних параметрів заданим. До розробки топології приступають після того, як кількість, типи та геометрична форма елементів ІМС визначені.

Правила проектування ізольованих областей. Кількість і розміри ізольованих областей істотно впливають на характеристики ІМС, тому:

2) до ізолюючих p -n -переходів завжди має бути прикладено напругу зворотного зміщення, що практично здійснюється приєднанням підкладкир-типу, або області розділової дифузії р-типу, до точки схеми з найбільш негативним потенціалом. При цьому сумарна зворотна напруга, прикладена до ізолюючого -n- переходу, не повинна перевищувати напруги пробою;

3) дифузійні резистори, що формуються на основі базового шару, можна розташовувати в одній ізольованій ділянці, яка підключається до точки схеми з найбільшим позитивним потенціалом. Зазвичай такою точкою є контактна площадка ІМС, яку подається напруга зміщення від колекторного джерела живлення;

4) резистори на основі емітерного та колекторного шарів слід розташовувати в окремих ізольованих областях;

5) транзистори типу n -р -n, колектори яких приєднані безпосередньо до джерела живлення, доцільно розміщувати в одній ізольованій області разом із резисторами;

6) транзистори типу n-р-n, які включені за схемою з

загальним колектором можна розташовувати в одній ізольованій області;

7) решта транзистори, крім згаданих у п. 5 і 6, необхідно розташовувати в окремих ізольованих областях, тобто. всі колекторні області, що мають різні потенціали, мають бути ізольовані;

9) кількість ізольованих областей для діодів може сильно змінюватися в залежності від типу діодів та способів їх включення. Якщо як діоди використовуються переходи ба-за-колектор, то кожного діода потрібна окрема ізольована область, оскільки кожен катод(колекторна область n -типу) повинен мати окремий висновок. Якщо як діоди використовуються переходи емітер - база, то всі діоди можна помістити в одній ізольованій області. При цьому всі катоди діодів (емітерні області) сформовані окремо у загальному аноді. Аноди діодів за допомогою сполучної металізації закорочують на ізольовану (колекторну) область;

10) для дифузійних конденсаторів потрібні окремі ізольовані області. Виняток становлять випадки, коли один із висновків конденсатора є спільним з іншою ізольованою областю;

11) для дифузійних перемичок завжди потрібні - від ділові ізольовані області.

Правила розміщення елементів ІМС площі кристала. Після визначення кількості ізольованих областей приступають до їх розміщення в потрібному порядку, розміщення елементів, з'єднання елементів між собою та з контактними майданчиками, керуючись такими правилами:

1) при розміщенні елементів ІМС та виконанні зазорів між ними необхідно суворо виконувати обмеження, що відповідають типовому технологічному процесу;

2) резистори, у яких потрібно точно витримувати відношення номіналів, повинні мати однакову ширину та конфігурацію та розташовуватися поруч один з одним. Це стосується й інших елементів ІМС, які потребують забезпечити точне співвідношення їх характеристик;

3) резистори з великою потужністю не слід розташовувати поблизу активних елементів;

4) дифузійні резистори можна перетинати провідною доріжкою поверх шару оксиду кремнію, що покриває резистор;

5) форма та місце розташування конденсаторів не є критичними;

7) для покращення розв'язки між ізольованими областями контакт до підкладки слід розташовувати поруч із потужним транзистором або якомога ближче до входу або виходу схеми;

8) число зовнішніх висновків у схемі, а також порядок розташування та позначення контактних майданчиків висновків ІМС на кристалі повинні відповідати висновкам корпусу;

9) комутація в ІМС повинна мати мінімальну кількість перетинів і мінімальну довжину доріжок, що проводять. Якщо повністю уникнути перетинів не вдається, їх можна здійснити, використовуючи обкладки конденсаторів, формуючи додаткові контакти до колекторних областей транзисторів, застосовуючи дифузійні перемички, нарешті, створюючи додатковий шар ізоляції між провідниками, що перетинаються;

10) перший контактний майданчик розташовують у нижньому лівому куті кристала і відрізняють від інших за її положенням щодо фігур суміщення або заздалегідь обумовлених елементів топології.

Нумерацію решти контактних майданчиків проводять проти годинникової стрілки. Контактні майданчики розташовують залежно від типу обраного корпусу по периметру кристала або з двох протилежних сторон;

11) фігури суміщення маютьоднієї-двома група-

ми на будь-якому вільному місці кристала; 12) під час розробки аналогових ІМС елементи вхідних

диференціальних каскадів повинні мати однакову топологію та бути однаково орієнтованими у площині кристала; для зменшення теплового зв'язку вхідні та вихідні каскади повинні бути максимально видалені; для зменшення високочастотного зв'язку через підкладку контакт до неї слід здійснювати у двох точках – поблизу вхідних та вихідних каскадів.

Рекомендації щодо розробки ескізу топології. Для забезпечення розробки ескізу топології рекомендується від початку викреслити важливу електричну схему так, щоб її висновки були розташовані в потрібній послідовності. Кожна лінія, що перетинає резистор на важливій електричній схемі, буде відповідати металізованій доріжці, що перетинає дифузійний резистор по оксиду на топологічній схемі.

На етапі ескізного проектування топології необхідно передбачити вирішення наступних завдань: розташувати якнайбільше резисторів в одній ізольованій області; подати найбільший потенціал на ізольовану ділянку, де розміщені резистори; подати найбільш негативний потенціал підкладку поблизу потужного транзистора вихідного каскаду; розосередити елементи, у яких розсіюються великі потужності; розмістити елементи з найменшими розмірами та з найменшими запасами на суміщення у центрі ескізу топології; скоротити кількість ізольованих областей та зменшити периметр кожної ізольованої області.

У випадку, якщо принципова електрична схема містить відокремлені групи або групи елементів, що періодично повторюються, об'єднаних в одне ціле з точки зору виконуваних ними функцій, розробку рекомендується починати зі складання ескізів топології для окремих груп елементів, потім об'єднати ці ескізи в один, відповідний всій схемі.

На основі ескізу розробляють попередній варіант топології, який викреслюють на міліметровому папері у вибраному масштабі, зазвичай 100:1 або 200:1 (вибирають мас-

штаби, кратні 100). Топологію проектують у прямокутній системі координат. Кожен елемент топології є замкненою фігурою зі сторонами, що складаються з відрізків прямих ліній, паралельних осям координат. Надання елементам форм як відрізків прямих ліній, непаралельних осям координат, допустимо лише у випадках, коли це призводить до значного спрощення форми елемента. Наприклад, якщо форма елемента складається з ламаних прямих, складених у вигляді "сходинок" з дрібним кроком, рекомендується замінити їх однією прямою лінією. Координати всіх точок, розташованих у вершинах кутів ламаних ліній, мають бути кратні кроку координатної сітки.

У процесі креслення топології для отримання оптимального компонування можлива зміна геометрії пасивних елементів, наприклад пропорційне збільшення довжини і ширини резисторів або їх багаторазовий вигин, що дозволяють провести над смужкою резистором металевої розводки або отримати більш щільну упаковку елементів. При зміні форми пасивних елементів у процесі розміщення проводять коригувальні розрахунки.

При проектуванні шару металізації розміри контактних майданчиків та провідників слід брати мінімально допустимими, а відстані між ними максимально можливими.

Після вибору розташування елементів та контактних майданчиків, створення малюнка розведення необхідно розмістити на топології фігури суміщення, тестові елементи (транзистори, резистори та ін. – прилади, призначені для вимірювання електричних параметрів окремих елементів схеми), реперні знаки. Фігури суміщення можуть мати будь-яку форму (найчастіше квадрат або хрест), причому треба врахувати, що на кожному фотошаблоні, крім першого та останнього, є дві фігури, розташовані поруч один з одним. Найменша фігура призначена для суміщення з попередньою технологічною операцією, а велика – з наступною. На першому фотошаблоні розташована лише більша фігура, а на останньому – лише менша.

При створенні топології важливо отримати мінімальну площу кристала ІМС. Це дозволяє збільшити продуктивність, знизити матеріаломісткість та підвищити вихід придатних

ІМС, оскільки на одній напівпровідниковій пластині можна розмістити більше кристалів і зменшити ймовірність попадання дефектів, що припадають на кристал. При розмірах сторони кристала до 1 мм її величину вибирають кратною 0,05 мм, а при розмірах сторони кристала 1...2 мм – кратною 0,1 мм.

Для будь-якої важливої ​​електричної схеми можна отримати багато прийнятних попередніх варіантів топології, що відповідають електричним, технологічним та конструктивним вимогам. Будь-який попередній варіант підлягає подальшому доопрацюванню.

Якщо після ущільненого розміщення всіх елементів на кристалі вибраного розміру залишилася зайнята площа, рекомендується перейти на менший розмір кристала. Якщо цей перехід неможливий, то незайняту площу кристала можна використовувати для внесення до топології змін, спрямованих на зниження вимог до технології виготовлення напівпровідникової ІМС. Наприклад, можна збільшити розміри контактних майданчиків та відстані між контактними майданчиками, ширину провідників та відстань між ними, по можливості випрямити елементи розведення, резистори, межі ізольованих областей. Приклад загального виду топології наведено на рис. 5.25.

Перевірка правильності розробки топології ІМС. По-

Слідний із складених і задовольняє всім вимогам варіант топології піддають перевірці в такій послідовності. Перевіряють відповідність технологічним обмеженням: мінімальних відстаней між елементами, що належать одному та різним шарам ІМС; мінімальних розмірівелементів, прийнятих у цій технології, та інших технологічних обмежень; наявності фігур суміщення всім шарів ІМС; розмірів контактних майданчиків для приєднання гнучких висновків; розрахункових розмірів елементів їх розмірів на кресленні топології; потужності розсіювання резисторів, максимально допустимої питомої потужності розсіювання, а також забезпечення можливості контролю за характеристиками елементів ІМС.

						Таблиця 1
	Елементи структури				Використовуваний матеріал		Поверхня-
							нє опір
	Найменування				Найменування
	Підкладка
	Епітаксіальний
					Трибромний бір
	Розділова
	Базова область				Трибромний бір
	Емітерна				Трихлористий
					фосфор ОС 449-4
	Металізація				Алюміній А99
	Прихований шар				Трихось сурми
	Ізолююча				SiO2
	Пасивна				SiO2
	плівка не показ.

1.Всі розміри на кресленні дані в мкм

2. Характеристики та дані щодо виготовлення окремих шарів наведені в таблиці 1

3. Нумерація контактних майданчиків та позначення елементів показані умовно

4. Елементи в шарах виконувати за таблицями координат, наведеними на відповідних аркушах креслення

Кристал

6 КЕФ 4,5/3, 5 КЕС 15 60 200КДБ 10(100)

Рис. 5.25 – Загальний виглядтопології ІМС на біполярних транзисторах

Під топологією інтегральних мікросхем (далі топологією) розуміється зафіксоване на матеріальному носії просторово-геометричне розташування сукупності елементів інтегральної мікросхеми та зв'язків між ними. Згаданим матеріальним носієм є частина напівпровідникової пластини, в обсязі та на поверхні якої сформовані елементи напівпровідникової мікросхеми, міжелементні з'єднання та контактні майданчики – кристал інтегральної мікросхеми.

Відповідно до Вашингтонського договору про інтелектуальну власність щодо інтегральних мікросхем 1989 року, правова охорона поширюється лише на оригінальні мікросхеми.

Оригінальною є топологія, створена внаслідок творчої діяльності її автора. При цьому топологія визнається оригінальною доти, доки не доведено протилежне. Топології, що складається з відомих елементів, правова охорона надається у випадках, коли сукупність цих елементів оригінальна, тобто результатом творчих зусиль її творця.

Оригінальність – єдина істотна ознака надання об'єкту правової охорони. Ні час створення, ні факт реєстрації не впливають виникнення правої охорони топології.

Топологія реєструється за бажанням автора чи іншого правовласника. Реєструючи нову топологію в патентному відомстві РФ, правовласник не лише публічно заявляє про свої права, а й офіційно депонує інформацію про ті ознаки, що відрізняють його топологію від уже відомих. У разі копіювання або іншого неправомірного використання топології, факт її реєстрації значною мірою може полегшити процес доведення порушення прав.

Власниками прав на топології інтегральних мікросхем виступають автори чи співавтори, їх спадкоємці, а також будь-які фізичні або юридичні особи, які набули прав за договором або в силу закону.

Юридичні особи за жодних умов прав авторства на топологію не набувають і можуть виступати лише володарем прав на її використання. У такій якості юридичні особи виступають, коли топологія створена у порядку виконання службового завдання або якщо автор створив її за договором із замовником, який не є його працедавцем.

Передача майнових прав на топології інтегральних мікросхем. Авторам та іншим правовласникам топологій законом надається можливість повної чи часткової передачі прав для її використання іншим особам. Передача майнових прав оформляється цивільно-правовим договором, Який так само, як і сама топологія, може бути зареєстрований в Роспатенті. Крім того, законом встановлено випадки вільного використання топологій, які є вилученими із сфери виняткового права їхнього власника. Перелік вільного використання топологій, зазначений у законі, носить вичерпний характер.

Види порушень виняткових майнових прав на топології:

копіювання топологій в цілому або частини шляхом її включення в інтегральну мікросхему або іншим чином, за винятком копіювання тільки тієї її частини, яка не є оригінальною;

застосування, ввезення, пропозиція до продажу та інше введення у господарський обіг топології чи інтегральної схеми із цією топологією.

Захист порушених майнових прав на топології інтегральних мікросхем.

Порушення прав авторів або правовласників топологій може бути підставою для вимог щодо застосування до правопорушників передбачених закономсанкцій. Порушення особистих немайнових правнайчастіше виявляється у тому запереченні чи привласненні іншими лицами. Основними способами захисту особистих немайнових прав можуть бути вимоги авторів про визнання порушеного або оспорюваного права, про відновлення становища, що існувало до порушення та припинення дій, що порушують право або створюють загрозу його порушення.

Захист порушених майнових прав здійснюється шляхом припинення дій, що порушують права або створюють загрозу їхньому порушенню, а також шляхом вимоги про відшкодування збитків. Наприклад, правовласник топології може вимагати накладання заборони несанкціоноване застосування чи продаж інтегральних мікросхем. Щодо заподіяних збитків, то вони підлягають відшкодуванню в повному обсязі, включаючи не лише реальні збитки, понесений правовласником, а й упущену їм вигоду. Законом встановлюється, що розмір збитків включається сума доходів, неправомірно отриманих порушником.

Крім відшкодування завданих збитків на розсуд суду або арбітражного судуз правопорушника може бути стягнуто штраф у вигляді 10% від суми, присудженої судом користь позивача. Зазначений штраф накладається на порушника у разі неодноразового або грубого порушення прав потерпілого та стягується у доход державного бюджету Російської Федерації.

Реєстрація топологій здійснюється у патентному відомстві – Російському агентстві з патентів та товарним знакам(Роспатент).

Топологія інтегральної мікросхеми – це зафіксоване на матеріальному носії просторово-геометричне розташування сукупності елементів інтегральної мікросхеми та зв'язків між ними.

Інтегральна (мікро) схема - мікроелектронний пристрій - електронна схема довільної складності (кристал), виготовлена ​​на напівпровідниковій підкладці (пластині або плівці) і поміщена в нерозбірний корпус, або без.

Об'єктом правової охорони є лише оригінальна топологія, створена внаслідок творчої діяльності автора.

Відносини, пов'язані зі створенням, правовою охороною та використанням топологій інтегральних мікросхем, регулює ГК РФ (4-а частина, глава 74 «Право на топології інтегральних мікросхем»).

Автором топології визнається фізична особа, внаслідок творчої діяльності якої цю топологію було створено. Якщо топологія створена разом з декількома фізичними особами, кожна з цих осіб визнається автором топології. Фізичні особи, що не внесли особистого творчого внеску у створення топології, а що надало автору лише технічну, організаційну або матеріальну допомогу, або що сприяло оформленню права використання топології, авторами неможливо знайти визнані.

Реєстрація. Правовласник може за своїм бажанням зареєструвати топологію в Російському агентстві з правової охорони програм для ЕОМ, баз даних та топологій інтегральних мікросхем (далі – Агентство) шляхом подання відповідної заявки. При позитивному результаті перевірки необхідних умовАгентство вносить топологію до Реєстру топологій інтегральних мікросхем, видає заявнику свідоцтво про офіційну реєстрацію та публікує відомості про зареєстровану топологію в офіційному бюлетені Агентства.

Для оповіщення про свої права автор топології або його правонаступник має право вказувати на топології, що охороняється, а також на виробах, що включають таку топологію, повідомлення про це у вигляді виділеної великої літери «Т» в колі або в квадраті, дати початку терміну дії виключного права на використання топології та інформації, що дозволяє ідентифікувати правовласника.

Виключне (майнове) декларація про використання топології діє протягом 10 років.

Секрет виробництва (ноу-хау)

Дослівний переклад ноу-хау - знаю як.

У патентної системиіснує альтернатива, коли об'єкти інтелектуальної власності тримаються у секреті. Вони мають реальну цінність лише у тому випадку, якщо надійно захищені від розкриття. Найбільш відомий приклад такого захисту – формула напою «Coca-Cola», яка зберігається в таємниці з 1886 р. Збереження в таємниці секретів виробництва як засобу забезпечення фактичної переваги над іншими учасниками обороту є однією з найдавніших форм охорони творчих результатів прикладного характеру.

Секретом виробництва (ноу-хау) визнаються відомості будь-якого характеру (виробничі, технічні, економічні, організаційні та інші), зокрема результати інтелектуальної діяльностів науково-технічній сфері, а також відомості про способи здійснення професійної діяльності, які мають дійсну або потенційну комерційну цінність через невідомість їх третім особам, до яких у третіх осіб немає вільного доступу на законній підставіі щодо яких власником таких відомостей введено режим комерційної таємниці.

Виключне право на секрет виробництва

Власнику секрету виробництва належить виключне право використання будь-яким способом, що не суперечить закону (виключне право на секрет виробництва), у тому числі при виготовленні виробів та реалізації економічних та організаційних рішень. Власник секрету виробництва може розпоряджатися зазначеним винятковим правом.